FERAM

(Ferroelectronic [Ferroelectric] RAM) ферроэлектронное ОЗУ тип энергонезависимой полупроводниковой памяти, разработанный корпорацией NEC. Принцип работы ячейки FRAM основан на том, что внешнее электрическое поле переводит атом сегнетоэлектрического кристалла в одно из двух стабильных положений. Может хранить данные без подачи напряжения до десяти лет см. тж. nonvolatile memory, RAM