(silicon-on-insulator) технология "кремний на изоляторе", КНИ, технология SOI технология изготовления микросхем, при которой транзисторы изолируются от подложки слоем диоксида кремния. За счёт уменьшения тока утечки вдвое снижается энергопотребление процессора и повышается его быстродействие. Используется корпорацией IBM при изготовлении процессоров PowerPC см. тж. BiCMOS, CHMOS, CMOS, ECL, MOS, NMOS, TTL
SOI
Англо-русский перевод SOI
Пройдаков Э.М., Теплицкий Л.А.. English-Russian explanatory dictionary of terms and abbreviations of computer engineering, Internet and programming. Англо-Русский толковый словарь терминов и сокращений по ВТ, Интернету и программированию. 1998-2004